1,000层3D NAND Flash 生产设备已就绪

主要观点总结

泛林集团推出第三代低温介质蚀刻技术Lam Cyro 3.0，针对3D NAND Flash存储器制造。该技术能提高蚀刻速度、降低能耗和排放量，并实现高深宽比图形特征的创建。高级副总裁Sesha Varadarajan表示，该技术为客户实现1,000层堆叠的3D NAND Flash闪存生产做好准备。芯片课程推荐创芯大讲堂。

关键观点总结

关键观点1: 泛林集团推出Lam Cyro 3.0技术

这是针对3D NAND Flash存储器制造的第三代低温介质蚀刻技术，可实现埃米级精度创建高深宽比的图形特征。

关键观点2: Lam Cyro 3.0的优势

该技术能提高蚀刻速度，降低能耗和排放量，对环境影响较小。相较于传统介电技术，Lam Cyro 3.0的蚀刻速度更快，能耗更低。

关键观点3: Lam Cyro 3.0的应用前景

该技术为客户实现1,000层堆叠的3D NAND Flash闪存生产做好准备，并解决现有3D NAND Flash闪存生产中的图形特征问题。