干货分享| 如何用双脉冲测试更好的表征SiC MOS动态能力？

主要观点总结

本文介绍了如何通过双脉冲测试更好地表征SiC MOS的动态能力。文中详细阐述了三个关键技术节点：探头时间偏移、栅极电阻选择和杂散电感管理。探头时间偏移会影响开关损耗的测量结果，需要定期校准。栅极电阻的选择需在开关性能与器件安全工作区之间折衷。杂散电感对开关过程产生重要影响，改变插接方式即可引起显著的损耗变化。

关键观点总结

关键观点1: 探头时间偏移

电压与电流探头间的微小延时会显著干扰开关损耗的测量结果，需以器件的阈值电压为基准进行定期校准。

关键观点2: 栅极电阻选择

栅极电阻的取值直接影响开关速度、损耗和电流过冲。在实际应用中需在开关性能与可靠性之间进行折衷选择。

关键观点3: 杂散电感管理

测试回路和器件封装中的杂散电感会通过产生感应电压负反馈，减缓开关过程，增加开关损耗。改变封装器件的插接方式也十分重要。