0.7nm要来了，Imec和Intel：分享路线图

主要观点总结

本文介绍了半导体行业中的最新进展，特别是英特尔、台积电、三星和imec等公司在新工艺技术和材料方面的突破。文章重点关注了imec展示的CFET标准单元和双排CFET架构的优势，其有助于逻辑技术路线图中取代全栅纳米片。此外，文章还介绍了英特尔在超硅材料、芯片互连和封装技术方面的技术突破，包括其新的减法钌技术和带有气隙的减法钌工艺，以及环栅晶体管的进展。最后，文章提到了封装技术的突破和EMIB-T的新变体。

关键观点总结

关键观点1: imec展示的CFET标准单元和双排CFET架构的优势

imec在2024年IEEE国际电子设备会议（IEDM）上展示了其CFET标准单元，这是一种下一代互补场效应晶体管（CFET）堆叠晶体管。双行CFET架构简化了工艺，并显著减少了逻辑和SRAM单元面积。与传统的单行CFET相比，新架构允许标准单元高度从4T降低至3.5T。

关键观点2: 英特尔在超硅材料和晶体管技术方面的突破

英特尔利用超硅材料在二维晶体管技术方面取得突破，包括全栅（GAA）晶体管的规模和性能提高。此外，英特尔还概述了减法钌技术，该技术可提高互连性能和可扩展性，最终实现更小连线。这些技术突破有助于在未来缩小工艺节点和提高芯片性能。

关键观点3: 封装技术的突破

封装技术对于连接芯片和实现更高效的计算能力至关重要。最近的技术进展包括英特尔的新选择层转移（SLT）技术，该技术可以大幅提高芯片到芯片组装过程的吞吐量。此外，EMIB-T的推出代表了使用TSV通过桥接器发送信号的EMIB首次实现。