Nat. Commun.：在硅衬底上制备厘米级黑磷晶体多层的干净转移方法

主要观点总结

本文介绍了一种将高结晶度脉冲激光沉积（PLD）生长的BP超薄膜从云母转移到SiO2/Si衬底上的改进湿法转移技术。使用EVA聚合物作为转移层，EG作为湿介质。该技术的关键在于EVA聚合物中极性基团的存在，增强了转移层的粘附性能。制备了具有优异均匀性的少层BP FET阵列，表现出优异的电学性能，如卓越的载流子迁移率和可观的电流开关比。该研究对于未来在电子和光电子器件中将可扩展的2D薄膜集成到高兼容性硅衬底上具有前景。

关键观点总结

关键观点1: 改进的湿法转移技术成功将厘米级高结晶度BP薄膜从云母转移到SiO2/Si衬底上。

使用EVA聚合物作为转移层，EG作为湿介质。EVA聚合物中极性基团增强了转移层的粘附性能。考虑了材料的力学性能，EVA粘附层与BP薄膜之间的保形接触是必要的。

关键观点2: 制备了具有优异均匀性的少层BP FET阵列。

在转移后的BP薄膜上成功制备了不同沟道长度的BP FET阵列，表现出良好的均匀性和连续性。

关键观点3: BP FET器件表现出优异的电学性能。

包括高载流子迁移率、可观的电流开关比和良好的输出特性。

关键观点4: 该研究对于未来在电子和光电子器件中将可扩展的2D薄膜集成到硅衬底上具有前景。

通过湿法转移技术成功制备了大面积均匀BP薄膜，这为未来的电子器件提供了潜在的应用前景。