闽南师范大学柯少颖教授团队Small：原位硒化构筑高性能Ge基WSe2短波红外偏振探测器阵列

主要观点总结

文章介绍了基于GeSi扩散阻挡层的WSe 2 /GeSi/Ge异质结光电探测器的创新研究。该团队成功实现了高质量WSe 2 薄膜的可控生长，并构建了WSe 2 /GeSi/n - Ge异质结8×8阵列光电探测器，具有宽光谱探测、超快响应速度、高分辨率成像和高速信息传输能力。

关键观点总结

关键观点1: 研究背景及重要性

传统薄膜转移技术存在诸多问题，限制了光电探测器的响应度和响应速度。因此，开发高性能光电探测器具有重要意义。

关键观点2: 研究内容及方法

柯少颖教授团队提出基于GeSi扩散阻挡层的界面工程策略，结合大管径双温区管式炉进行原位硒化，实现了高质量WSe 2 薄膜的可控生长。构建了WSe 2 /GeSi/n - Ge异质结8×8阵列光电探测器，采用激光直写光刻技术。

关键观点3: 所取得的成果

该器件实现了宽光谱探测，尤其在1550 nm处响应度和比探测率分别高达5.61 A/W和3.77×10^12 Jones。响应速度呈现出双指数衰减趋势，具有超快响应速度和极大的3 dB带宽。此外，该器件还表现出高分辨率成像、高性能偏振光检测及高速信息传输能力。

关键观点4: 研究的影响和意义

该研究为2D-3D SWIR宽光谱超高速光电探测器的发展和应用提供了新思路和技术路径，具有广泛的应用前景。