北京大学刘开辉教授团队重磅Science：面向集成电子学的二维InSe晶圆

主要观点总结

北京大学物理学院刘开辉教授带领的联合研究团队报道了一种固-液-固生长策略，成功实现了晶圆级高质量InSe薄膜的制备，该薄膜具有优异的均匀性和结晶质量。基于此制备的晶体管阵列展现出卓越性能。该研究开发的材料在先进晶体管发展中有巨大潜力。

关键观点总结

关键观点1: 研究背景

人工智能与物联网技术的快速发展对算力提出了极高要求，硅基晶体管技术在亚10-nm节点面临物理极限。亟需能突破硅材料限制的新型半导体沟道材料。

关键观点2: 研究成果

北京大学物理学院的研究团队采用固-液-固生长策略，成功实现了晶圆级高质量InSe薄膜的制备，具有优异均匀性和结晶质量。基于此制备的晶体管阵列展现出创纪录的高迁移率和接近玻尔兹曼极限的亚阈值摆幅等卓越性能。

关键观点3: 核心挑战

高质量InSe薄膜的生长面临两大核心挑战：一是存在多种稳定相，二是硒的蒸汽压高于铟，难以维持化学计量平衡。该研究成功解决了这两个问题，实现了纯相高结晶度薄膜。

关键观点4: 研究意义

该研究开发的二维InSe晶圆制备的集成电子器件为先进晶体管发展提供了新范式，为下一代计算与通信技术提供了更灵活、低功耗、高性能的解决方案。

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