中国科大蔡洪冰，南洋理工高炜博，Nature Electronics！

主要观点总结

本文介绍了一种使用金属印章直接压印的方法，用于圆片级二维材料的无残留图案化。该方法避免了使用光刻胶和化学试剂，实现了晶圆级、快速和高质量的图案化。研究人员展示了该方法在MoS2和其他二维材料中的应用，并制备了具有工业兼容性的逻辑电路，获得了高良率。

关键观点总结

关键观点1: 研究背景

二维半导体材料在电子制造中具有前景，但在大规模集成电路中面临均匀性和成品率的挑战，主要源于制造过程中的表面污染。

关键观点2: 研究亮点

提出了一种金属印章直接压印的方法，用于二维材料的无残留图案化。该方法避免了化学试剂的使用，并实现了晶圆级的快速高质量图案化。

关键观点3: 方法特点

该方法通过物理图案化过程避免了使用光刻胶和化学试剂，使二维材料的晶圆级图案化成为可能。通过金属印章直接压印，形成部分物理接触和部分悬空的界面结构，实现了二维材料的剥离和图案化。

关键观点4: 实验验证

研究人员展示了该方法在MoS2和其他二维材料中的应用，并通过PL光谱、拉曼光谱、原子力显微镜（AFM）和扫描透射电子显微镜（STEM）验证了所得二维阵列表面的原子洁净和高质量。

关键观点5: 应用与成果

研究人员制作了MoS2场效应晶体管（FET）进行电学输运测量，并展示了制备的晶圆级逻辑电路的高良率。该研究为制造大规模晶体管和逻辑电路提供了高通量的图案化技术。

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