标题仅3个词！今日Nature：长，长，长晶了！

主要观点总结

该文章介绍了远程外延技术的新突破，包括研究人员成功实现远程外延的关键证据和结果。文章还提到了不同材料的远程外延应用，以及衬底离子性对远程外延的影响。此外，研究人员还利用厚缓冲层实现了长程远程外延，并发现位错对远程外延的作用。这些发现为先进电子和光电子器件的设计带来了丰富机遇。

关键观点总结

关键观点1: 远程外延技术是一项新兴的外延生长技术，能够突破晶格匹配限制，为先进电子与光电子器件的设计带来丰富机遇。

研究人员成功实现了多种材料的远程外延，包括GaAs、InP、GaP等，并应用于多类器件。

关键观点2: 研究人员利用超厚二维缓冲层进行远程外延，实现了卤化物钙钛矿、岩盐型化合物及ZnO薄膜在厚a-C缓冲衬底上的长程远程外延。

电子显微镜分析显示，a-C层在外延生长前后均未出现针孔或其他缺陷。

关键观点3: 研究发现衬底的离子性是支配远程相互作用的关键因素，离子性越强，其表面势场能够透过的石墨烯层数越多。

此外，研究人员还发现了位错对远程外延的作用，并通过计算模拟证明了线缺陷可能导致远程相互作用的作用距离延伸至约7纳米。