【硬件资讯】HBM4之战提前打响？三星直接锁定下一代HBM内存，本月将向AMD、NVIDIA交付样品...

主要观点总结

本文主要报道了三星、英伟达和英伟达关于HBM4样品提供、GDDR7显存和GDDR6显存防范Rowhammer攻击的相关信息。

关键观点总结

关键观点1: 三星将在本月向AMD、英伟达等提供HBM4样品，与SK海力士正面交锋。

三星计划应用10纳米级第六代（1c）DRAM工艺，开发更精密、良率更高的HBM4。三星和SK海力士都计划在下半年正式量产HBM4，改变SK海力士独家向英伟达供应HBM3E的现状。

关键观点2: 英伟达为RTX 50系列显卡添加供应商，美光开始供应GDDR7。

英伟达发布了基于Blackwell架构的GeForce RTX 50系列GPU，采用了GDDR7显存。目前三星、SK海力士和美光都向英伟达提供了GDDR7样品进行测试，但三星独占了初期的GDDR7供应。英伟达将为GeForce RTX 50系列添加供应商，计划采用美光的GDDR7。

关键观点3: 英伟达推荐GDDR6显存GPU激活ECC，防范Rowhammer攻击。

英伟达提醒用户尽快激活系统级错误纠正码（ECC）缓解措施，保护采用GDDR6显存的显卡。Rowhammer是一种硬件故障，可以通过软件方式触发，攻击者可以通过读写操作访问显存行，改变显存中的信息。英伟达推荐用户启用系统级错误纠正码（ECC）来保持数据的完整性。

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