DDR4价格倒挂调查：HBM芯片如何引爆“过时”内存涨价潮？

主要观点总结

文章探讨了市场表象下HBM的产能需求引发的存储芯片价格波动，特别是在DDR4市场出现的反常识的“价格倒挂”现象。文章分析了从上游原厂到下游终端市场的各方反应，指出原厂的战略决策对产业链中下游的影响，尤其是存储模组厂商和渠道商受到的影响。同时，也提到了本土厂商面临的机遇与挑战。

关键观点总结

关键观点1: 市场表象下的价格风波

文章描述了DDR4内存价格反常走势及市场矛盾现象，即在存储芯片现货市场呈现出反常的价格走势，一方面DDR4内存条的需求仍然存在，另一方面商家对DDR4的报价普遍谨慎，并频繁以“没现货”“价格一天一变”为由婉拒需求。

关键观点2: 供需错配与价格反挂

文章分析了产生这种异常现象的深层原因，认为是上游原厂为聚焦高利润的HBM而主动削减DDR4供给，造成了供给端的短缺，但在下游市场中，部分特定行业对DDR4仍存在无法替代的“刚性需求”，这种供需错配导致DDR4价格不降反升，甚至超过了新一代产品。

关键观点3: HBM产能需求与产业链调整

文章探讨了HBM的产能需求对整个存储供应链的影响，指出原厂为保障HBM产能而调整生产计划，导致传统产品线的产能“计划性”压缩，从而影响了DDR4等产品的市场供应。这种调整不仅影响了上游原厂的业绩，也影响了中游存储模组厂商和下游终端市场的反应。

关键观点4: 国际大厂战略调整与本土机遇

文章提到国际大厂如美光、三星等逐步退出部分中低阶或特定类型产品的市场竞争，为本土厂商提供了宝贵的市场空间和客户导入机会。本土厂商正通过技术实力和市场准备来抓住这一机遇，但仍面临在高性能存储领域与国际巨头的差距等挑战。

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