浙大《Science》：半赫斯勒窄带半导体材料的压电效应

主要观点总结

本文介绍了压电换能技术及其应用领域，重点介绍了半赫斯勒窄禁带半导体材料的压电效应。浙江大学朱铁军教授团队首次观察到TiNiSn、ZrNiSn、TiCoSb三种半赫斯勒材料的压电效应，并制备了基于TiCoSb-[111]切型晶片的原型压电器件。该工作为新型压电材料设计及换能技术提供了新的思路，同时为开发多功能效应协同的电子器件提供了可能。

关键观点总结

关键观点1: 半赫斯勒窄禁带半导体材料的压电效应研究取得进展

浙江大学朱铁军教授团队首次观察到三种半赫斯勒材料的压电效应，并成功制备了原型压电器件。

关键观点2: 半赫斯勒材料的压电响应在室温至1173K范围内保持稳定

团队发现半赫斯勒材料在较宽的温度范围内表现出良好的热稳定性，为实际应用提供了潜力。

关键观点3: 半赫斯勒窄带半导体材料在压电领域具有潜在应用前景

该实验发现为新型压电材料设计及换能技术提供了新的思路，同时为开发多功能效应协同的电子器件提供了可能。

关键观点4: 研究得到了国家重点研发计划等多项资助

该工作得到了多项基金的支持，包括国家重点研发计划、国家自然科学基金委等。

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