主要观点总结
本文解答了关于MOSFET驱动电压的困惑,解释了为什么数据手册中标注的栅极开启电压为2V,而在实际应用中常使用10V甚至更高的电压来驱动MOSFET。文章介绍了两个主要原因:一是为了最小化导通电阻RDS(on),降低功率损耗;二是为了提高开关速度,降低开关损耗。
关键观点总结
关键观点1: 文章解答了关于MOSFET驱动电压的困惑。
初学者常对数据手册中标注的MOSFET栅极开启电压与实际使用中的驱动电压感到困惑,文章对此进行了解释。
关键观点2: 第一个原因:最小化导通电阻RDS(on)。
数据手册中的栅极阈值电压是在极小的漏极电流下测得的,仅仅能让MOSFET开始导通。为了使其完全饱和,达到数据手册上标称的最低RDS(on),需要使用较高的驱动电压。
关键观点3: 第二个原因:提高开关速度和降低开关损耗。
更高的驱动电压可以使MOSFET更快地通过米勒平台,缩短开关转换时间,从而降低开关损耗。这在开关电源等高频应用中尤为重要。
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