性能突破性提升！我国攻克半导体材料世界难题

主要观点总结

西安电子科技大学郝跃院士、张进成教授团队通过创新技术，成功改善芯片制造中的“岛状”连接结构，将其转变为原子级平整的“薄膜”，显著提升了芯片的散热效率和器件性能。该成果已发表在《自然·通讯》与《科学进展》上。团队首创的“离子注入诱导成核”技术，使得新结构界面热阻大大降低，基于该技术制备的氮化镓微波功率器件在国际上实现了较高的输出功率密度，为半导体材料的高质量集成提供了“中国范式”。

关键观点总结

关键观点1: 改善芯片制造中的“岛状”连接结构

西安电子科技大学郝跃院士、张进成教授团队通过创新技术，成功将粗糙的“岛状”界面转变为原子级平整的“薄膜”，提高了芯片的散热效率和器件性能。

关键观点2: 团队首创的“离子注入诱导成核”技术

通过将原本随机的生长过程转为精准可控的均匀生长，解决了长期存在的芯片散热问题，降低了新结构界面热阻。

关键观点3: 基于新技术制备的氮化镓微波功率器件性能显著提升

在X波段和Ka波段输出功率密度分别达42瓦/毫米和20瓦/毫米，较国际纪录提升30%—40%，显著增加了装备探测距离和通信基站的覆盖范围。